1Mhz介電常數(shù)/介質(zhì)損耗測定儀討論——b:串聯(lián)模型——對于某種具有電介質(zhì)損耗

1Mhz介電常數(shù)/介質(zhì)損耗測定儀

這些試驗方法所用術語定義以及電絕緣材料相關術語定義見術語標準D1711。

　　本標準專用術語定義：

　　電容，C，名詞——當導體之間存在電勢差時，導體和電介質(zhì)系統(tǒng)允許儲存電分離電荷的性能。

　　討論——電容是指電流電量 q與電位差V之間的比值。電容值總是正值。當電量采用庫倫為單位，電位采用伏特為單位時，電容單位為法拉，即：

　　C=q/V （1）

　　耗散因子（D），（損耗角正切），（tanδ），名詞——是指損耗指數(shù)（K''）與相對電容率（K'）之間的比值，它還等于其損耗角（δ）的正切值或者其相位角（θ）的余切值（見圖1和圖2）。

　　D=K''/K' (2)

　　3.2.2.1 討論——a：

　　D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp(3)

　　式中：

　　G=等效交流電導，

　　Xp=并聯(lián)電抗，

　　Rp=等效交流并聯(lián)電阻，

　　Cp=并聯(lián)電容，

　　ω=2πf（假設為正弦波形狀）

　　耗散因子的倒數(shù)為品質(zhì)因子Q，有時成為儲能因子。對于串聯(lián)和并聯(lián)模型，電容器耗散因子D都是相同的，按如下表示為：

　　D=ωRsCs=1/ωRpCp(4)

　　串聯(lián)和并聯(lián)部分之間的關系滿足以下要求：

　　Cp=Cs/(1 D2) (5)

　　Rp/Rs=(1 D2)/D2=1 (1/D2)=1 Q2(6)