消耗功率：約25W；電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。國標(biāo)介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀相對(duì)濕度：<80％；環(huán)境溫度：0℃～+40℃；Q合格指示預(yù)置功能: 預(yù)置范圍：5～1000。國標(biāo)介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀信號(hào)源頻率覆蓋范圍頻率范圍CH1:0.1～0.999999MHz, CH2: 1～9.99999MHz,CH3:10～99.9999MHz, CH1 :100～160MHz電感測(cè)量范圍：4.5nH~7.9mHQ值測(cè)量Q值測(cè)量范圍：2～1023。Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。標(biāo)稱誤差頻率范圍（100kHz～10MHz）： 頻率范圍（10MHz～160MHz）固有誤差：≤5％±滿度值的2% 固有誤差：≤6％±滿度值的2%工作誤差：≤7％±滿度值的2% 工作誤差：≤8％±滿度值的2%測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位。

電介質(zhì)的用途

 電介質(zhì)一般被用在兩個(gè)不同的方面:

 用作電氣回路元件的支撐，并且使元件對(duì)地絕緣及元件之間相互絕緣;

 用作電容器介質(zhì)

溫度

損耗指數(shù)在一個(gè)頻率下可以出現(xiàn)一個(gè) 大值，這個(gè)頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的，這取決于在測(cè)量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù) 大值位置。

介質(zhì)損耗的功率為

　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd

定義單位體積的介質(zhì)損耗為介質(zhì)損耗率為

ω=σE2

在交變電場(chǎng)作用下，電位移D與電場(chǎng)強(qiáng)度E均變?yōu)閺?fù)數(shù)矢量，此時(shí)介電常數(shù)也變成復(fù)數(shù)，其虛部就表示了電介質(zhì)中能量損耗的大小。

D，E，J之間的相位關(guān)系圖

D，E，J之間的相位關(guān)系圖

如圖所示，從電路觀點(diǎn)來看，電介質(zhì)中的電流密度為

J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe

式中Jτ與E同相位。稱為有功電流密度，導(dǎo)致能量損耗；Je，相比較E超前90°，稱為無功電流密度。

定義

tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ

式中，δ稱為損耗角，tanδ稱為損耗角正切值。

損耗角正切表示為獲得給定的存儲(chǔ)電荷要消耗的能量的大小，是電介質(zhì)作為絕緣材料使用時(shí)的重要評(píng)價(jià)參數(shù)。為了減少介質(zhì)損耗，希望材料具有較小的介電常數(shù)和更小的損耗角正切。損耗因素的倒數(shù)Q=（tanδ）-1在高頻絕緣應(yīng)用條件下稱為電介質(zhì)的品質(zhì)因素，希望它的值要高。